三星由于其第九代V9QLCNAND闪存技术出现设计和性能问题，决定推迟该产品的大规模生产，预计要到2026年上半年才会开始。
`GdH ,:S> #QIY+muN 三星V9NAND采用280层设计，原先先推出了1TB的TLC版（三级单元），在2024年4月量产，随后于去年9月初步转向更复杂的QLC版（四级单元）。但业内消息称，首批V9QLC芯片暴露出根本性设计缺陷，导致性能受限。
`lWGwFg g( /e |Lw4$@S 目前，三星在NAND市场总体上仍保持领先，但在QLC技术上落后于主要竞争对手，其最新高端QLC产品还停留在上一代V7，甚至没有发布V8的QLC版。
lwrh4<~\,* v_Sa0}K9 同期，日本的Kioxia推出了332层V10级NAND，SKhynix也取得突破，已开始量产321层2TBQLCNAND。
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@Qt<+k 三星虽在今年2月展示了具备400+层、1TB容量的V10级TLCNAND，但暂未公布量产时间表。
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