高通面向笔记本电脑市场推出的首批3nm平台Snapdragon X2 Elite系列中，旗舰款X2 Elite Extreme被曝并未采用常见的N3E或N3P制程，而是转向以极限性能为目标的台积电3nm N3X工艺，希望在高电压与高频率下榨干单核与多核表现，以支撑其最高可达5.00GHz、最多18核的高性能配置。
g!;k$`@{E' TO7 %TW{L 来自Moor Insights&Strategy的技术拆解显示，Snapdragon X2 Elite Extreme采用类似苹果“统一内存”的SiP封装方案，把RAM、存储等多种元件与SoC封装在同一模块中，通过192位内存总线、128GB内存上限以及最高9523 MT/s的内存频率，将带宽拉高至228GB/s，这一数字虽超过苹果M5，但仍低于M4 Pro约273GB/s的水平。整颗芯片集成晶体管数量约310亿个，N3X相比N3P在高性能计算场景下可额外带来约5%的性能增幅，不过代价是晶体管密度和能效相对吃亏，高通也将X2 Elite Extreme设计在超过1.0V的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。
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]:m>pI*z. 在实际功耗设定上，这颗芯片在解锁功耗限制时可冲破100W阈值，在部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持40W级别，以支撑高负载下的持续性能输出。然而，目前公开的Cinebench 2024单核与多核测试结果显示，在同等条件下，X2 Elite Extreme仍落后于苹果M4 Max；在GPU端，面对M4 Pro在3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited等合成基准中最高可达约45%的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风，令业界对N3X带来的“极限性能红利”是否物有所值产生疑问。
|-GmW SK_ 6Y<'Lyg/ 从节点策略上看，高通此次选择N3X，意味着首度有商用大规模芯片偏离TSMC目前主流的N3P路线，优先追求高频与峰值性能，而非面积和能效最优解。报道认为，至少从目前有限的公开基准测试来看，这一选择尚未兑现预期中的“碾压式”领先，高通押注的极限性能路线是否能在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还需要后续更多机型与实测数据给出答案。
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