科技媒体Wccftech昨日（2月10日）发布博文，报道称在Intel Connection Japan 2026活动中，英特尔首次公开了“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型。
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@Bwl)G!| 该项目由英特尔与软银子公司Saimemory共同推进，该公司成立于2024年12月，于2025年6月全面投入运营，主要从事存储器及相关产品的研发、制造和销售。
?UZ yu 4O% P+l^ Ep8P 英特尔政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚（Makoto Onho）共同出席了发布活动。
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e 援引博文介绍，ZAM技术的核心在于其独特的“Z-Angle”架构。与传统HBM内存垂直钻孔（TSV）的连接方式不同，ZAM采用了错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔指出，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。
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_Dt TG<E 图源：Wccftech
&BR?;LD Hs!CJ(0 "y 根据现场公布的营销资料，ZAM在性能指标上展现出对标甚至超越HBM的潜力。初步讨论数据显示，得益于Z-Angle互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了40%至50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。
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