SK hynix 宣布已向主要客户送样其新一代 HBM4E 高带宽显存产品，单颗容量最高可达 48GB，数据传输速率最高 16Gbps，旨在满足迅速增长的人工智能芯片市场需求。
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` ,-STIh) 在生成式 AI 和大模型推动下，全球数据中心对高带宽存储器的需求急剧上升，迫使 DRAM 厂商加快新一代产品研发节奏。 SK hynix 此次在 HBM4E 送样时间上与竞争对手三星展开“抢跑”，希望率先向合作伙伴提供用于下一代 AI 数据中心平台的解决方案。 报道指出，这些 HBM4E 将主要面向包括 NVIDIA Rubin Ultra、AMD Instinct MI500 在内的高端 AI 加速平台，它们被视为未来 AI 服务器市场的重要营收引擎。
, \>g 88YC0! Ni 据介绍，SK hynix 在今年 Computex 2026 上曾预览过这代 HBM4E，展示了最高 48GB、12 层堆叠封装、单引脚最高 16Gbps 速率等关键规格。 与此前一代产品相比，HBM4E 在性能与能效上都有明显提升，旨在进一步缓解 AI 训练和推理过程中的内存带宽瓶颈。 与此同时，三星也在展会期间展示了其 HBM4E 及后续 HBM5 技术路线，并提出通过 HPB（Heat Path Block）等新型散热路径设计提升高带宽显存在极高功耗场景下的稳定性。
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}K;iJ~kD1 根据文中给出的对比数据，在 48GB 容量等级下，HBM4E 采用 12-Hi 堆叠结构，而 HBM4 峰值规格对应为 16-Hi，HBM3E 为 12-Hi。 新一代产品在堆叠密度和效率方面均有提升：在 48GB 12-Hi 方案中，单颗堆叠密度提升约 1.5 倍，带宽效率亦有明显改善。 表格显示，HBM4E 在保持 1.2V 工作电压的同时，实现了更高的每引脚带宽和整体带宽目标，以满足更重型的 AI 工作负载需求。
3N3*`?5c< AS q`)Rz SK hynix 在一份新闻稿中表示，公司已按计划向主要客户交付 12 层堆叠的 HBM4E 样品，这得益于其在高带宽显存开发和量产方面积累的经验。 公司强调，将与合作伙伴紧密协作，确保在合适的时间节点实现 HBM4E 的量产投放，以顺应 AI 基础设施升级节奏。 官方资料称，这一代产品在每引脚数据处理速度上可达 16Gbps，整体功耗效率较前代提升逾 20%，有助于提高 AI 训练与推理过程中单位功耗下的有效算力。
gix>DHq$k >3$uu+p1F 在接口和电路设计上，HBM4E 通过最新一代接口规范与优化后的内部架构降低了数据传输时延，同时保证在极高带宽环境下的稳定工作。 对云端 AI 数据中心和大规模高性能计算系统而言，这意味着在相同机柜与散热条件下可以承载更高密度、更高速度的 AI 加速卡部署，从而提高整体算力密度。
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K*:Im #Q 在封装工艺方面，SK hynix 为 HBM4E 引入了 Advanced MR-MUF 技术，使其在 12 层堆叠结构中实现 48GB 容量，并兼顾封装结构稳定性。 官方介绍称，相比前一代 HBM4，HBM4E 在耐热性能方面提升了约 17%，这对持续高负载运行的 AI 节点至关重要，有助于在更高温环境下维持显存芯片的长期可靠性。 结合更高的热容忍度和更紧凑的堆叠设计，新产品更适配当前日益密集的 AI 服务器系统设计趋势。
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QpJ IDM/ SK hynix 此前已经在 HBM3、HBM3E 以及 HBM4 的量产和供应上积累了丰富经验，为多家云服务商及 GPU 厂商提供定制优化的高带宽存储解决方案。 公司表示，将在此基础上继续通过 HBM4E 支持下一代 AI 基础设施建设，并协同产业链伙伴共同缓解 AI 系统中普遍存在的内存带宽瓶颈问题。 在全球生成式 AI “算力军备竞赛”愈演愈烈的背景下，HBM4E 被视为未来数年 AI 专用芯片和数据中心平台竞争的关键底层技术之一。
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