存储芯片巨头SK hynix首席执行官Kwak Noh-jung近日发出严厉警告，称尽管当前消费电子领域正经历由芯片通胀引发的动荡，但这并非最坏的情况。他预计，2027年将成为该行业有史以来从供应角度来看最糟糕的一年，且客户需求预计在2030年之后仍将持续高于公司的供应能力。
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B {f&'1pp/ 根据行业报告显示，2027至2028年间，存储芯片相关的晶圆供应量预计将年均增长约12%，但其中约有一半的增长产能将被高带宽内存所消耗。具体来看，三星预计将在2026年出货约120亿Gb的高带宽内存，并在2027年提升至200亿Gb；而SK hynix则计划在2026年供应180亿Gb，2027年增至240亿Gb。
Zz,E4+'Rm >j_,3{eJ 受此结构性产能分配影响，非高带宽内存的DRAM比特增长在2027至2028年间将被严格限制在15%的年增长率，而同期市场需求却预计将飙升22%。在产能扩张方面，三星的P5 Fab 1工厂计划于2027年7月投入运营，P5 Fab 2及龙仁的另一座设施则预计于2029年投产；SK hynix的龙仁Y1工厂预计将于2027年2月上线，Y2工厂则定于2028年下半年投产。尽管长鑫存储计划向DDR6过渡可能带来一定的缓解作用，但其当前的生产时间表以及在海外市场的供应能力仍存在不确定性。
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