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[硬件资讯]AMD的Zen 3和Zen 2 CPU易受 "Zenhammer"漏洞影响 导致内存泄漏 [复制链接]

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2024-05-06
只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2024-03-27 11:54:38
  苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)的最新研究显示,AMD的Zen平台容易受到Rowhammer攻击,从而影响DRAM的可用性。AMD采用Zen 3和Zen 2 CPU的相对较旧的系统现在易受Zenhammer影响,公司建议用户采取预防措施: fu3~W  
JBX#U@k>I  
  Rowhammer是一个相当古老的漏洞,最初是在2014年通过卡内基梅隆大学和英特尔公司的合作研究发现的。该漏洞通过促使内存单元漏电来影响DRAM的内容,有可能使内存中的比特发生翻转,从而破坏内存中的数据。此外,它还可能导致入侵者获取敏感信息,该漏洞已扩展到AMD的Zen系统,因此现在被称为"Zenhammer"。 Z#H] yG  
8z,i/:  
  来自苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)的独立研究人员找到了一种方法,通过翻转安装在Zen 2和Zen 3系统中的DDR4内存中的位,通过Rowhammer实现来破坏内存内容。以下是他们的研究成果: 'nH/Z 84  
9[.vtk\iyH  
  尽管DRAM具有非线性特性,但ZenHammer仍能反向设计DRAM寻址功能,使用专门设计的访问模式来实现适当的同步,并在模式中精心安排刷新和栅栏指令,以提高激活吞吐量,同时保留绕过DRAM内缓解措施所需的访问顺序。 0sxZa+G0o  
pPr/r& r  
  研究表明,AMD系统存在漏洞,与基于英特尔的系统类似。在成功利用秘密DRAM地址功能后,研究人员能够调整定时例程,并通过大量测试,将Rowhammer的效果整合到系统中,在Zen 2和Zen 3系统中翻转内存内容。虽然这种情况对于相对较老的AMD消费者来说令人震惊,但Team Red已经对该问题做出了快速反应,并发布了一份安全简报来解决该问题。 *5KV DOd  
Ml &Cr  
  AMD将继续评估研究人员关于首次在DDR5设备上演示Rowhammer位翻转的说法。AMD将在完成评估后提供最新信息。 o5~o Rmsr  
QEd>T"@g  
  AMD微处理器产品包括符合行业标准DDR规范的内存控制器。对Rowhammer攻击的易感性因DRAM设备、供应商、技术和系统设置而异。AMD建议您与DRAM或系统制造商联系,以确定是否容易受到这种新变种Rowhammer的攻击。 NyHHK8>  
~~J xw ]  
  AMD还继续建议采用以下现有DRAM缓解Rowhammer式攻击,包括: 8S;]]*cD~  
~`J/618  
  使用支持纠错码(ECC)的DRAM kaSi sjd  
xDRNtLj<u  
  使用高于1倍的内存刷新率 cW+6Emh  
%3v:c|r  
  禁用内存突发/延迟刷新 :^ 9sy  
bcgh}D  
  使用带有支持最大激活计数(MAC)(DDR4)内存控制器的AMD CPU Y6LoPJ  
<hG=0Zcr  
  原代号为"那不勒斯"的第一代AMD EPYC处理器 \W^Mo>l  
v0pyyUqS  
  第2代AMD EPYC处理器,原代号为"罗马" -w8c;5X  
fBgW0o.Bu  
  原代号为"米兰"的第3代AMD EPYC处理器 /SLAg&  
?Bg<74  
  使用配备支持刷新管理(RFM)(DDR5)内存控制器的AMD CPU UzLe#3MU  
We^! (G  
  原代号为"Genoa"的第四代AMD EPYC™处理器 gO C5  
QBi&Q%piy  
  对于特别关注Zenhammer的用户,建议自行实施AMD建议的缓解措施,以避免受到该漏洞的影响。与此同时,该公司正在对情况进行评估,并提供覆盖面更广泛的更新。 ,~ ;_ -