[业界新闻]据称三星正推进 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开发 [复制链接]

　　据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。 A;A>Q`JJF  
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　　目前尚不清楚该计划最终将采用三星自家代工体系中的SF2还是SF2P等2纳米节点。 V0h  
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　　现有信息显示，三星的第六代HBM产品线（HBM4）预计将基于4纳米制程，外界普遍推测来自SF4家族节点。一位不愿具名的公司内部人士透露，三星电子正在系统LSI事业部下去年新成立的定制SoC团队主导下，为HBM设计定制逻辑芯片，并构建覆盖4纳米到2纳米的工艺组合，以响应不同客户的多元化需求。 -l!;PV S|  
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　　业界分析认为，面向未来的超高性能AI加速器将高度依赖性能与带宽更为前沿的HBM模组。随着2纳米逻辑芯片真正落地，企业级AI市场被寄望会出现“强劲”需求增长，这一时间点很可能要等到第七代产品HBM4E之后，即2027年以后。 H+>l][