[业界新闻]高通或将引入来自三星的散热技术 为下一代骁龙旗舰降温 [复制链接]

　　据业内供应链消息与中国社交媒体多方爆料，在旗舰移动芯片性能上限不断攀升、传统手机散热方案愈发吃紧的背景下，高通正考虑在下一代骁龙8EliteGen6系列中采用三星的HeatPassBlock（HPB，导热通道块）技术，以缓解高频运行带来的热压力。 G+jcR; s  
`xu/|})KI  
　　这项HPB技术最早应用于三星2nm工艺的Exynos2600芯片，官方宣称可将热阻降低约16%。其核心做法是在处理器晶粒上直接覆盖一层铜质导热层，为热量提供一条从芯片源头快速疏散的通路，减少热量向周围元件扩散后再被动导出的低效过程。同时，传统上会堆叠在SoC上方的内存模组被移至芯片侧面，以看似简单的布局调整配合铜材的高导热性，降低局部热点的形成。 i^6g1"h  
+FtL_7[v  
　　高通上代旗舰芯片骁龙8EliteGen5已经展现了这种“极限性能换高功耗”的路线代价。该芯片在Geekbench6多核成绩上略胜苹果A19Pro一筹，但代价是大约多消耗61%的功率，凸显出高通为争夺跑分领先地位而将散热与功耗推向极限。在此背景下，更高效的源头散热方案被视为下一步性能跃升的前提条件。 2]-xmS>|b  
8J+:5b_?  
　　来自微博的爆料称，高通内部测试的骁龙8EliteGen6Pro版本，其性能核心最高频率已经逼近5GHz。在开放实验环境中，这样的频率尚可维持，但一旦被封装进空间有限的智能手机机身，热量迅速累积就会成为主要瓶颈。尽管下一代芯片预计将转向台积电2nm工艺，在能效上有所提升，但在为追求极限性能而持续拔高频率的情况下，制程带来的能效优势很快会被抵消。 +L<x0-&  

图片:QQ截图20260209113246.png

"pkn  
　　这也促使业内将类似HPB的“源头直连散热”视为结构层面的必要升级，而非小众实验技术。报道指出，高通正在评估HPB作为多种潜在散热方案之一，用于在峰值负载场景下稳定芯片温度。长期以来，手机散热主要依赖均热板与石墨散热片等方案，但在SoC功率密度持续走高的趋势下，这些传统手段的边际收益正在减弱。 Z/=HQ8  
NFlrr*=t>  
　　如果高通最终在骁龙8EliteGen6系列中整合HPB，将意味着其在芯片架构层面首次明确转向“晶粒级热管理”思路。这也将被视为高通承认既有散热策略即便经过多年打磨，在当前的智能手机形态与功耗水平下已经接近极限，需要在封装和结构设计上进行更深层次的调整。 gX*i"Y#
 
/N\[ C"8  
　　目前，高通尚未正式确认相关消息。不过，多名微博爆料者此前曾率先准确披露Exynos2600相关细节，这一轮关于骁龙8EliteGen6及HPB散热的消息在时间线与内容上高度一致，令外界认为其可信度不低。在旗舰手机处理器向5GHz频段迈进的关键节点，高通是否会选择与三星在散热技术上“联手”，将成为接下来高端移动芯片竞争中的一大看点。 Mj-B;r