[硬件资讯]美光宣布量产HBM4高带宽显存、SOCAMM2内存模组及PCIe 6.0企业级SSD ​ [复制链接]

　　美光科技在NVIDIA GTC 2026大会上宣布，同时实现三款面向数据中心与AI负载的关键产品的高批量量产，全部围绕并服务于英伟达新一代Vera Rubin平台。其中最受关注的是HBM4高带宽显存：容量为36 GB的12层堆叠产品已于2026年第一季度开始大规模出货，并专为NVIDIA Vera Rubin芯片打造。 N+hedF@ZU  

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　　这款HBM4的针脚速率超过11 Gb/s，总带宽超过2.8 TB/s，是上一代HBM3E的2.3倍，同时在功耗效率方面提升逾20%。美光还已向客户交付容量更高的16层堆叠48 GB HBM4早期样品，相比12层堆叠方案，每颗HBM封装的容量提升约33%。 >*{:l,LH  
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　　除HBM4外，美光宣布，其192 GB SOCAMM2内存模组也已进入高批量生产阶段。这款模组专为Vera Rubin NVL72系统以及独立的Vera CPU平台设计，可在单颗CPU平台上实现最高2 TB内存容量和1.2 TB/s内存带宽。整个SOCAMM2产品组合容量覆盖从48 GB到256 GB，后者此前已作为“全球首款256 GB高容量LPDRAM SOCAMM2”面向数据中心基础设施发布。 6."PS4}:  
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　　在存储方面，美光9650成为业界首款面向数据中心的PCIe Gen 6 SSD，并针对NVIDIA BlueField-4 STX架构做了专门优化，目前同样已经量产。据介绍，这款企业级SSD顺序读取速度最高可达28 GB/s，随机读取性能可达550万IOPS，几乎将上一代PCIe Gen 5产品的读取性能翻倍。同时，其性能功耗比也提升到前代产品的两倍，在强调能效的数据中心场景中具有明显优势。 b.@H1L  

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　　通过在HBM4显存、SOCAMM2高密度内存以及PCIe 6.0企业级SSD三条产品线同步迈入高量产阶段，美光希望在围绕Vera Rubin的新一轮AI基础设施建设周期中，占据更为重要的供应链位置。 r:
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