据韩媒Etnews上周（5月12日）报道，三星电子正在开发下一代HBM技术，以便在移动设备上实现更高性能的端侧AI。
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5 5m\, UG7 业内人士透露，三星正在研发多层堆叠FOWLP（Multi Stacked FOWLP）技术，目标在智能手机、平板等移动设备中实现更大容量、更高带宽的HBM。这些设备的空间相比服务器机柜简直是九牛一毛，对功耗、发热控制的要求非常严格，因此无法直接照搬现有方案。
)XHn.>]nc 0zE@ ?. 据悉，目前主流的LPDDR内存普遍采用引线键合（Wire Bonding）技术，这种方案的IO数量有限、信号损耗较大、散热效率不足，无法结合HBM技术。因此三星计划采用改进的VCS方案，将芯片内部的铜柱从3:1~5:1提升至15:1~20:1，可在有限面积中塞入更多铜线，进一步提升带宽。
UOk\fyD2[ VZq ~ -$ 不过，当铜柱直径低于10微米时就容易出现弯曲、断裂等不稳定现象。因此三星决定采用FOWLP技术作为补强。先对芯片进行模塑（IT之家注：Molding），然后把布线向外围扩展，同时承担支撑铜柱作用，防止变形。
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2GSZ` N/ f7"~+` 如果这套方案能成功验证，理论带宽可提升15-30%，并且还能在相同空间下塞入更多I/O接口。
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虽然这套方案还处于研发阶段，但业内认为，三星最快会在Exynos 2800后期版本或Exynos 2900中集成相关技术。
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