三星正为一款全新的M.2 NVMe Gen 4固态硬盘SSD 990做最后准备,这款产品将补齐其客户端SSD产品线中面向“性价比”主流市场的空缺。需要注意的是,SSD 990不同于此前的990 EVO Plus,后者定位于PCIe Gen 4时代的无缓存高性能产品。
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*NmY] 两者之间的主要区分因素很可能在于所采用的闪存类型(QLC对比TLC),以及SSD 990上更新的主控方案。与支持PCIe Gen 4 x4或Gen 5 x2接口的990 EVO Plus不同,SSD 990明确采用PCIe Gen 4 x4接口,进一步强调其在现有主流平台上的定位。
I\~[GsDY cm< #zu3~S 据悉,SSD 990仍是一款无独立DRAM缓存的固态硬盘,搭载三星自研主控芯片。官方资料指出,SSD 990的写入寿命低于使用DRAM缓存及3D TLC闪存的990 PRO,这也强化了其更可能使用QLC闪存的判断。在具体耐久性方面,1 TB版本的标称写入寿命为400 TBW,而2 TB版本则为800 TBW。
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B>,eHXW 在性能指标上,SSD 990的顺序读写速度已经进入PCIe Gen 4阶段的高端区间。2 TB型号的最高顺序读取速度可达7250 MB/s,1 TB型号则为最高7150 MB/s,两种容量版本的顺序写入速度均可达6450 MB/s。相关规格最早曾在三星加拿大官网短暂出现,随后被移除,但已被VideoCardz截图保存并曝光。
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