[硬件资讯]安卓最强 2nm 芯片：高通第六代骁龙 8 至尊版 Pro 芯片曝光，类三星 HPB 散热方案首曝 [复制链接]

科技媒体 NotebookCheck 今天（8 月 20 日）发布博文，报道称安卓最强 2nm 芯片，高通第六代骁龙 8 至尊版 Pro（Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro）旗舰芯片已现身闲鱼平台。
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访问该页面，显示已经下架。根据该媒体分享的图片，共有 2 颗芯片，均激光刻印 SM8975-100-BC 字样，表明是该芯片的首个 LPDDR5X 工程样品（ES）版本。两颗芯片各自带有批号：一颗为 FC5528M5，另一颗为 FX602R8T。 m.e+S,i  

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图片:QQ截图20260820152717.png

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封装芯片上的批号通常包含芯片制造厂、组装地点和封装日期等信息： xDv$z.=Y  
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    F 代表台积电 (TSMC)，可能采用 N2P 节点 A}pmr  
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    C 代表安靠 (Amkor) 的韩国工厂； VTQ V]>|  
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    5 代表 2025 年； 8\HL8^6c5  
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    52 代表第 52 周，由此推断封装日期约为 2025 年 12 月下旬。 /|V!2dQs"  
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第二个批号的结构相同，由此推断该批次芯片的封装日期约为 2026 年第 2 周。 a3D''Ra  
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这些照片也首次真实展现了高通参考三星 Exynos 2600 芯片上的“HBP 散热导流块”设计方案：一个位于芯片和封装盖之间的内部散热片。 /(Mi2$@v1  

图片:QQ截图20260820152630.png

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图为骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 封装 5Z"IM8
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图片:QQ截图20260820152621.png

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图为三星 Exynos 2600 芯片封装 vFKX@wV S  
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消息源称高通的内存封装方式不同于 Exynos 2600 芯片。三星的 Exynos 2600 采用更小的 563 球 FBGA 封装来支持 LPDDR5X 内存。 "zFv?ay  
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而高通旗舰芯片需要同时支持 LPDDR6 和 LPDDR5X，其中 LPDDR6 版本采用 1295 球 FBGA 封装，而 LPDDR5X 版本采用 496 球 FBGA 封装。这两种封装都减少了芯片上用于散热片的物理空间。 pa4,W!t