在美国持续推动全球芯片企业赴美投资建厂之际，韩国存储芯片巨头SK海力士被曝正寻求与华盛顿达成一项特殊安排。知情人士透露，SK海力士希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，以提升当地产能，并将这一许可作为推进美国新工厂建设的重要前提。
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/=nJRC 3. 消息人士表示，SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地。该工厂主要生产用于数据中心固态硬盘的NAND闪存产品，而这类产品正广泛应用于人工智能和云计算基础设施领域。
24 ' J @e.C"@G 目前，大连工厂使用的设备来自美国主要半导体设备供应商，包括泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等企业。
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: 报道称，Solidigm寻求为大连工厂引入更多设备的计划，以及将未来美国NAND闪存工厂建设与相关出口许可绑定的做法，此前从未被公开披露。
M6 "PX *K k_#ak%m/ 美国政府近年来不断强化对中国半导体产业的出口限制，尤其是针对先进芯片及制造设备，希望减缓中国在人工智能和军工相关半导体领域的发展速度。与此同时，美国政府也积极推动包括SK海力士、三星电子等海外半导体企业扩大在美国本土的制造布局，以提升美国制造业能力并创造就业机会。
{#vgtgBB ? =Z? 6fw 面对全球存储芯片供应趋紧和价格上涨，SK海力士希望充分利用其大连工厂尚未完全开发的生产空间。知情人士称，大连厂区内被称为“Mod B”的生产区域虽然早在2023年已经建成，但由于当时存储芯片市场低迷，部分设备并未完成安装，因此仍拥有可供扩产的空余空间。
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G HAdg/3Hw 对此，SK海力士向媒体表示，大连Mod B项目的设备安装工作正在与美国政府密切协商并获得授权的情况下进行。公司强调，目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置。
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^0@86 L\J;J%fz. Solidigm则拒绝就相关事项发表评论。负责出口管制事务的美国商务部也未回应媒体的置评请求。
~g]Vw4pv "<N*"euH 知情人士透露，Solidigm之所以希望提高中国工厂产量，与其美国扩张计划存在直接联系。建设一座新的NAND闪存晶圆厂往往需要数年时间以及数十亿美元投资，而增加大连工厂产出能够为未来美国工厂提供更稳定的资金来源，同时在美国新产能投产前承担过渡性供应任务。
<44G ]eb lfow1WRF 路透社此前曾报道称，Solidigm正在评估于美国兴建新的NAND闪存工厂，而纽约州北部被认为是潜在选址之一。
R`qFg/S ` r6 ,+& 除了扩产计划外，消息人士还表示，Solidigm正在研究最早于明年启动首次公开募股（IPO）的可能性。若上市成功，募集资金也有望用于支持美国新工厂建设。
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1rK8j X i>`%TW:g 行业研究机构TechInsights分析师Walt Coon表示，经历前几年的存储市场低迷后，当前NAND闪存行业已经进入新一轮景气周期。随着人工智能数据中心需求激增，市场供应趋于紧张，相关产品价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张局面预计仍将持续。
^}=,g 1v2 7;Q<+Q 在这种背景下，SK海力士一方面希望扩大中国现有产能以把握市场机会，另一方面又面临美国出口管制政策的限制。如何在中国生产布局与美国制造战略之间取得平衡，正成为这家全球第二大存储芯片厂商面临的重要课题。
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