当地时间3月13日,据韩媒TheChosunDaily报道,三星电子半导体(DS)业务今年预计将创下历史最好业绩。不过,公司内部已经开始担心,当前由存储芯片供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年,之后市场可能再度进入下行周期。 s=KA(4p
9vVYZ}HC
随着全球AI基础设施投资迅速增加,存储芯片需求预测的不确定性也在上升。行业曾出现过因误判需求而过度扩产的情况,随后市场转冷,企业承担巨额亏损。 8cW]jm
HF0J>Clq
行业人士透露,三星电子DS部门管理层正在讨论一种情形:全球存储芯片市场可能在2028年前后出现转折。因此,公司一方面希望抓住AI带来的高利润机会,另一方面也在努力提升运营效率,避免再次出现过度投资。 7,
O_'T &
r?[Zf2&
三星正在扩大HBM和先进DRAM工艺投资,同时也在研究应对需求突然放缓的方案。业内分析认为,AI带动的存储需求变得更加波动,市场周期也明显缩短,使得确定产能规模和投资节奏更加困难。 7ZJYT#>b
*d)B4qG
短期来看,扩大DRAM和HBM供应仍是行业共识。从报道中获悉,英伟达、AMD和博通等科技公司对HBM需求强劲,这种需求预计至少会持续到明年。目前三星和SK海力士已有超过一半的DRAM销售来自HBM,随着更多产能转向HBM,智能手机、PC和服务器使用的传统DRAM开始出现供应紧张。 Lo !kv*
%7hYl'83
NAND闪存市场的风险可能更大。如果当前扩产速度持续,供应过剩可能比DRAM更早出现。DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光三家公司控制,在NAND市场,也有铠侠、长江存储等更多竞争者。随着技术和产能提升,NAND价格竞争近年来明显加剧,三星和SK海力士也难以完全避免亏损。 rVZkG,Q
*!B,|]wq=
一位熟悉三星情况的行业人士表示,去年夏天,三星和SK海力士都没有预料到当前这轮AI带动的市场繁荣,显示出半导体市场预测已经变得越来越困难。该人士还表示,正因如此,三星的“经营支持”团队正在围绕更严格的市场验证和预测来制定投资计划。 )C <sj